maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MRF5812MR2
Référence fabricant | MRF5812MR2 |
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Numéro de pièce future | FT-MRF5812MR2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF5812MR2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812MR2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF5812MR2-FT |
64020H
Microsemi Corporation
64030
Microsemi Corporation
64042
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64044
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64051
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64053
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64054H
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64062
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64065
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64077
Microsemi Corporation
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGL030V2-VQ100I
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EP3SL70F484C4
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
EP4SE820F43C3N
Intel
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel
EP20K1500EFC33-1
Intel