maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MRF5812MR1
Référence fabricant | MRF5812MR1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MRF5812MR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF5812MR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812MR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF5812MR1-FT |
64017H
Microsemi Corporation
64020H
Microsemi Corporation
64030
Microsemi Corporation
64042
Microsemi Corporation
64044
Microsemi Corporation
64051
Microsemi Corporation
64053
Microsemi Corporation
64054H
Microsemi Corporation
64062
Microsemi Corporation
64065
Microsemi Corporation
XC2S150-5FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K400CF672C9
Intel
5CGXFC5C6F27C6N
Intel
5AGXBA1D6F27C6N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
Intel