maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / MRF281ZR1
Référence fabricant | MRF281ZR1 |
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Numéro de pièce future | FT-MRF281ZR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF281ZR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 1.93GHz |
Gain | 12.5dB |
Tension - Test | 26V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 25mA |
Puissance - sortie | 4W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | NI-200Z |
Package d'appareils du fournisseur | NI-200Z |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF281ZR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF281ZR1-FT |
375-0001
IXYS-RF
A2G26H280-04SR3
NXP USA Inc.
AFT20P140-4WGNR3
NXP USA Inc.
AFT23H201-24SR6
NXP USA Inc.
AFT23S160W02GSR3
NXP USA Inc.
AFT26H050W26SR3
NXP USA Inc.
AFT26HW050GSR3
NXP USA Inc.
AFT26HW050SR3
NXP USA Inc.
ARF461CG
Microsemi Corporation
ARF473
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel