Référence fabricant | MR851G |
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Numéro de pièce future | FT-MR851G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR851G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 300ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR851G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR851G-FT |
NTS245SFT1G
ON Semiconductor
NRVB140ESFT1G
ON Semiconductor
MBR120ESFT3G
ON Semiconductor
NRVHP120SFT3G
ON Semiconductor
NRVTS245ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB130LSFT1G
ON Semiconductor
NRVTS260ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB120ESFT3G
ON Semiconductor
NHP120SFT3G
ON Semiconductor
MBR140ESFT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel