maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR2A08AMYS35
Référence fabricant | MR2A08AMYS35 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MR2A08AMYS35 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
MR2A08AMYS35 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-TSOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08AMYS35 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR2A08AMYS35-FT |
71024S25TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel