maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR25H40CDFR
Référence fabricant | MR25H40CDFR |
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Numéro de pièce future | FT-MR25H40CDFR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR25H40CDFR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H40CDFR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR25H40CDFR-FT |
W25Q32FVZEIG
Winbond Electronics
W25Q32FVZEIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVZEJQ
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W25Q32FVZEJQ TR
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W25Q32FVZPIG
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W25Q32FVZPIG TR
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W25Q32FVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q32FVZPIQ TR
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W25Q32FWZEIG
Winbond Electronics
W25Q32FWZEIG TR
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XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
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LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
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5AGTFC7H3F35I3G
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