maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR25H10MDC
Référence fabricant | MR25H10MDC |
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Numéro de pièce future | FT-MR25H10MDC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
MR25H10MDC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10MDC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR25H10MDC-FT |
W25Q16DWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q20CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q20EWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF
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W25Q256FVEIF TR
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W25Q256FVEIG
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Winbond Electronics
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Winbond Electronics
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
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Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel