maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR25H10CDF
Référence fabricant | MR25H10CDF |
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Numéro de pièce future | FT-MR25H10CDF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR25H10CDF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10CDF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR25H10CDF-FT |
W25Q16DVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DWZPIG
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W25Q16DWZPIG TR
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W25Q20CLZPIG
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W25Q20EWZPIG TR
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W25Q256FVEIF
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF TR
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W25Q256FVEIG
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A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel