maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR25H10CDFR
Référence fabricant | MR25H10CDFR |
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Numéro de pièce future | FT-MR25H10CDFR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR25H10CDFR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10CDFR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR25H10CDFR-FT |
W25Q32FWZEIG
Winbond Electronics
W25Q32FWZEIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIG
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIQ
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W25Q32FWZPIQ TR
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W25Q40BWZPIG
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W25Q40BWZPIG TR
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W25Q40CLZPIG
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W25Q64BVZEIG
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W25Q64CVZEIG
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A3P400-1FGG256
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M2GL050S-1VFG400I
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XC2VP7-6FFG672I
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LCMXO2-4000HE-5FTG256C
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5CGTFD7D5F31I7N
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