maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR25H10CDC
Référence fabricant | MR25H10CDC |
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Numéro de pièce future | FT-MR25H10CDC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR25H10CDC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10CDC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR25H10CDC-FT |
W25Q16BVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q16CLZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16CVZPIG
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W25Q16CVZPIG TR
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W25Q16DVZPIG
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W25Q16DVZPIG TR
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W25Q16DVZPIQ
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W25Q16DVZPIQ TR
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W25Q16DWZPIG
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XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
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A42MX16-2PQ208
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EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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