maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR25H10CDCR
Référence fabricant | MR25H10CDCR |
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Numéro de pièce future | FT-MR25H10CDCR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR25H10CDCR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10CDCR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR25H10CDCR-FT |
24LC512T-E/MF
Microchip Technology
24LC512T-I/MF
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25AA128-I/MF
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25LC512T-I/MF
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A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel