maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MQ1N8160US
Référence fabricant | MQ1N8160US |
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Numéro de pièce future | FT-MQ1N8160US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MQ1N8160US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MQ1N8160US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MQ1N8160US-FT |
MPLAD7.5KP30CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP33AE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP33CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP36CA
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP36CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP40AE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP40CA
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP40CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP43A
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP45AE3
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
MPF200T-1FCG484E
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
M1A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation