maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MQ1N8159US
Référence fabricant | MQ1N8159US |
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Numéro de pièce future | FT-MQ1N8159US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MQ1N8159US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MQ1N8159US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MQ1N8159US-FT |
MPLAD7.5KP30A
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP30CA
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP30CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP33AE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP33CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP36CA
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP36CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP40AE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP40CA
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP40CAE3
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23C8
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
XC7K160T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP20K200CB652C8
Intel