maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MQ1N8157US
Référence fabricant | MQ1N8157US |
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Numéro de pièce future | FT-MQ1N8157US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MQ1N8157US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MQ1N8157US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MQ1N8157US-FT |
MPLAD7.5KP26CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP28AE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP28CA
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP28CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP30A
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP30CA
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP30CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP33AE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP33CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD7.5KP36CA
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel