maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MPLAD30KP30CAE3
Référence fabricant | MPLAD30KP30CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MPLAD30KP30CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MPLAD30KP30CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30V |
Tension - Panne (Min) | 33.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 48.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 618A |
Puissance - Peak Pulse | 30000W (30kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard SMD |
Package d'appareils du fournisseur | PLAD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPLAD30KP30CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MPLAD30KP30CAE3-FT |
MPLAD30KP24CA
Microsemi Corporation
MPLAD30KP78AE3
Microsemi Corporation
MPLAD30KP78CA
Microsemi Corporation
MPLAD30KP85A
Microsemi Corporation
MPLAD15KP7.0CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD30KP51A
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP30CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP36A
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP40A
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP40CA
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel