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Référence fabricant | MPG06M-E3/53 |
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Numéro de pièce future | FT-MPG06M-E3/53 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MPG06M-E3/53 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 600ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | MPG06, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | MPG06 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPG06M-E3/53 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MPG06M-E3/53-FT |
BYT51M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT52J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel