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Référence fabricant | MOX91021004FVE |
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Numéro de pièce future | FT-MOX91021004FVE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Super-Mox |
MOX91021004FVE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 1 MOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 3.8W |
Composition | Metal Oxide Film |
Caractéristiques | High Voltage, Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.315" Dia x 1.063" L (8.00mm x 27.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX91021004FVE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MOX91021004FVE-FT |
OA564K
Ohmite
OA564KE
Ohmite
OA560K
Ohmite
OA560KE
Ohmite
OA47GK
Ohmite
OA47GKE
Ohmite
OA474K
Ohmite
OA474KE
Ohmite
OA473K
Ohmite
OA473KE
Ohmite
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel