maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / MOX-3N-131007JE
Référence fabricant | MOX-3N-131007JE |
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Numéro de pièce future | FT-MOX-3N-131007JE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Maxi-Mox |
MOX-3N-131007JE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 1 GOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 4W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Non-Inductive |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 210°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-3N-131007JE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MOX-3N-131007JE-FT |
OA153K
Ohmite
OA153KE
Ohmite
OA152K
Ohmite
OA152KE
Ohmite
OA151K
Ohmite
OA151KE
Ohmite
OA150KE
Ohmite
OA124KE
Ohmite
OA123K
Ohmite
OA123KE
Ohmite
A54SX32A-2TQ144
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LCMXO2-1200HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
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EP4CE10F17C9LN
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5SGSED6N3F45I4N
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AX1000-FG676
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LFXP20C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7N
Intel