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Référence fabricant | MOX-1-121007FE |
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Numéro de pièce future | FT-MOX-1-121007FE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Maxi-Mox |
MOX-1-121007FE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 1 GOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 2.5W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 210°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.310" Dia x 1.120" L (7.87mm x 28.45mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-1-121007FE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MOX-1-121007FE-FT |
MOX96021006FVE
Ohmite
MOX96021007FTE
Ohmite
MOX96025005FVE
Ohmite
MOX96021005FVE
Ohmite
MOX95021005FVE
Ohmite
MOX95022505FTE
Ohmite
MOX95025004FVE
Ohmite
MOX95021004FVE
Ohmite
MOX94021005FVE
Ohmite
MOX94021006FVE
Ohmite
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel