maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / MOC207R2M
Référence fabricant | MOC207R2M |
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Numéro de pièce future | FT-MOC207R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MOC207R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 2500Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 200% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 7.5µs, 5.7µs |
Temps de montée / descente (type) | 3.2µs, 4.7µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.15V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOC207R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MOC207R2M-FT |
PC3H710NIP
Sharp Microelectronics
PC3H710NIP0F
SHARP/Socle Technology
PC3H710NIP1B
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PC3H711NIP
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PC3H711NIP1B
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PC3H712NIP0F
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PC3H712NIP1B
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PC3H715NIP
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XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGSMD5K3F40I4N
Intel
5SGXMABK3H40I3N
Intel
5SGXEA7H3F35C3N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG144
Microsemi Corporation
EP20K300EBI652-2X
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EP1K100QC208-3
Intel