maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / MMSZ4696-G3-08
Référence fabricant | MMSZ4696-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-MMSZ4696-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMSZ4696-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 6.9V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMSZ4696-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMSZ4696-G3-08-FT |
BZT52C6V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C75-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C75-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C75-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C75-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
XCKU095-2FFVC1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
5SGXEA3K2F35C2L
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-CS196I
Microsemi Corporation
LFXP10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation