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Référence fabricant | MMSD103T1 |
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Numéro de pièce future | FT-MMSD103T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMSD103T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMSD103T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMSD103T1-FT |
NSR02100HT1G
ON Semiconductor
NSVR0240HT1G
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NSVBAS21HT3G
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NSR0530HT1G
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NSVD350HT1G
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BAS20HT1
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XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
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5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel