maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MMJT350T1G
Référence fabricant | MMJT350T1G |
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Numéro de pièce future | FT-MMJT350T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMJT350T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 650mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMJT350T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMJT350T1G-FT |
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