maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / MMDT5401Q-7-F
Référence fabricant | MMDT5401Q-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-MMDT5401Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMDT5401Q-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 300MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT5401Q-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMDT5401Q-7-F-FT |
ZHB6792TA
Diodes Incorporated
ZDT1053TA
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XC3S1000-4FGG676C
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EP4CE10F17C7N
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EP4SE530F43I3
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Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation