maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / MMDT4126-7
Référence fabricant | MMDT4126-7 |
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Numéro de pièce future | FT-MMDT4126-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMDT4126-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT4126-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMDT4126-7-FT |
ZDT617TC
Diodes Incorporated
ZDT619TA
Diodes Incorporated
ZDT619TC
Diodes Incorporated
ZDT649TA
Diodes Incorporated
ZDT649TC
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ZDT651TA
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ZDT651TC
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ZDT6702TA
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ZDT6702TC
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Diodes Incorporated
EP2C8T144I8
Intel
EX64-FTQ100
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XC6SLX150T-N3FG676C
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
10M08DAF484C8GES
Intel
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation