maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / MMBZ5258C-G3-18
Référence fabricant | MMBZ5258C-G3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MMBZ5258C-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5258C-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 36V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 225mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 70 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 27V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5258C-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ5258C-G3-18-FT |
MMBZ5250B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5250B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5250C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5250C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5250C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5250C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5250C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5250C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5251B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5251B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484M
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1N
Intel
EP20K100EFC144-2N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
EP4SE360F35C2N
Intel
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.