maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / MMBZ5227B-HE3-18
Référence fabricant | MMBZ5227B-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBZ5227B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5227B-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 225mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 24 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 15µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5227B-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ5227B-HE3-18-FT |
MMBZ4706-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4707-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4707-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4707-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4707-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4707-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4707-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA7N3F45C2
Intel
5SGXEA7H2F35I3L
Intel
5SGXMA4K2F35C2LN
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H1F34I1SG
Intel
5SGSMD4H3F35C2LN
Intel