maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / MMBZ5226C-HE3-18
Référence fabricant | MMBZ5226C-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBZ5226C-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5226C-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.3V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 225mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 28 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5226C-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ5226C-HE3-18-FT |
MMBZ4705-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4705-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4705-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4705-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4706-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K160T-1FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144M
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-2SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A1415A-1VQ100M
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP3SL110F780C4
Intel
EP20K100FC324-3
Intel