maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / MMBZ4716-HE3-18
Référence fabricant | MMBZ4716-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBZ4716-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ4716-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 350mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10nA @ 29.6V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ4716-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ4716-HE3-18-FT |
MMBZ4700-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4701-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4701-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4701-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4701-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4701-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP2-5E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG456I
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
5SGXMA3K2F40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation