maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / MMBZ4687-E3-08
Référence fabricant | MMBZ4687-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBZ4687-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ4687-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 350mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ4687-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ4687-E3-08-FT |
BZX84C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel