maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / MMBZ4686-HE3-18
Référence fabricant | MMBZ4686-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBZ4686-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ4686-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 350mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ4686-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ4686-HE3-18-FT |
BZX84C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4617-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE5U-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6E22C9LN
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7VX485T-2FF1157I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
10AX115U3F45I2SGE2
Intel
EP20K400ERC240-1
Intel