maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / MMBZ16VALT1G
Référence fabricant | MMBZ16VALT1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MMBZ16VALT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBZ16VALT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 225mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ16VALT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ16VALT1G-FT |
DZ23C4V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C4V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C51-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EF672C1XDO
Intel
EP2S60F484C4N
Intel
5SGXEA7N3F40I3L
Intel
10AX027H3F34I2SG
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
AGL125V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484I
Lattice Semiconductor Corporation