maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / MMBV2109LT1G
Référence fabricant | MMBV2109LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-MMBV2109LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBV2109LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 36.3pF @ 4V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3.2 |
Ratio de capacité condition | C2/C30 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | 200 @ 4V, 50MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBV2109LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBV2109LT1G-FT |
SMV1705-040LF
Skyworks Solutions Inc.
SMV1771-040LF
Skyworks Solutions Inc.
SMV1270-040LF
Skyworks Solutions Inc.
SMV1232-011LF
Skyworks Solutions Inc.
SMV1231-011LF
Skyworks Solutions Inc.
SMV1236-011LF
Skyworks Solutions Inc.
SMV1255-011LF
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SMV1702-011LF
Skyworks Solutions Inc.
SMV1234-011LF
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SMV2023-011LF
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LCMXO2-2000HE-4TG100C
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LFE2-12E-5QN208C
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LCMXO640E-3FTN256C
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EP4CE6E22I8L
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5SGXEBBR1H43C2LN
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5SEEBH40I2N
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XC5VLX30T-1FFG665C
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LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5N
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EP1S10F780C6N
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