maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MMBT5551LT3G
Référence fabricant | MMBT5551LT3G |
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Numéro de pièce future | FT-MMBT5551LT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBT5551LT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Puissance - Max | 225mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5551LT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBT5551LT3G-FT |
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A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
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EP2SGX90EF1152I4
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XC7K160T-2FBG484C
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XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
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LFXP2-17E-6QN208C
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10AX115R3F40E2SG
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10AX022E3F29I1HG
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