maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MMBT3906FA-7B
Référence fabricant | MMBT3906FA-7B |
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Numéro de pièce future | FT-MMBT3906FA-7B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBT3906FA-7B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Puissance - Max | 435mW |
Fréquence - Transition | 300MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | X2-DFN0806-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3906FA-7B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBT3906FA-7B-FT |
ZUMT720TA
Diodes Incorporated
DSS4160U-7
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Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel