maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MMBT3906-G
Référence fabricant | MMBT3906-G |
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Numéro de pièce future | FT-MMBT3906-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBT3906-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 300MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3906-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBT3906-G-FT |
MMST3906-7
Diodes Incorporated
MMST4124-7
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MMST5551-7
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
MMSTA06-7
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XCKU5P-L1FFVA676I
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A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
10M50DCF484I6G
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5CEFA7M15C8N
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XC6VLX240T-2FF1759I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5QN208C
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LFE2M20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation