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Référence fabricant | MMBD6050-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD6050-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBD6050-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD6050-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD6050-HE3-18-FT |
VS-15ETH06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4TU2006FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH0806FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel