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Référence fabricant | MMBD4448HTW-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448HTW-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448HTW-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HTW-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448HTW-TP-FT |
1PS75SB45,135
NXP USA Inc.
BAV70T,115
NXP USA Inc.
BAW56T,115
NXP USA Inc.
BYV34G-600,127
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200,118
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200PLJ
WeEn Semiconductors
BAS40-04/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-04/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLVL
NXP USA Inc.
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel