maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD4448HSDW-TP
Référence fabricant | MMBD4448HSDW-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448HSDW-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448HSDW-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HSDW-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448HSDW-TP-FT |
PMEG3002TV,115
Nexperia USA Inc.
BAT54CV,115
Nexperia USA Inc.
BAS40-07V,115
Nexperia USA Inc.
1PS66SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07V,115
Nexperia USA Inc.
BAT74V,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6002TV,115
Nexperia USA Inc.
BAV70M,315
Nexperia USA Inc.
BAT54CM,315
Nexperia USA Inc.
BAV170MYL
Nexperia USA Inc.
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation