maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD4448HSDW-7-F
Référence fabricant | MMBD4448HSDW-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448HSDW-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448HSDW-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HSDW-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448HSDW-7-F-FT |
MBR20200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2035PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2035PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2045PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2050PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
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10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
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EP3SE80F780C2
Intel