maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD4448HAQW-7-F
Référence fabricant | MMBD4448HAQW-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448HAQW-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448HAQW-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HAQW-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448HAQW-7-F-FT |
MBR2060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30200PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3035PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3035PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel