maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MMBD4448H-7
Référence fabricant | MMBD4448H-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MMBD4448H-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448H-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Capacité @ Vr, F | 3.5pF @ 6V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448H-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448H-7-FT |
SDM2U20CSP-7
Diodes Incorporated
SDM2U30CSP-7
Diodes Incorporated
SDM1U20CSP-7
Diodes Incorporated
SDM2A20CSP-7
Diodes Incorporated
SDM1U40CSP-7
Diodes Incorporated
SDM05U40CSP-7
Diodes Incorporated
SDM05U20CSP-7
Diodes Incorporated
SDM1A40CSP-7
Diodes Incorporated
BAS116LP3-7
Diodes Incorporated
1SS361LP3-7
Diodes Incorporated
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel