maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD1205
Référence fabricant | MMBD1205 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD1205 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD1205 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD1205 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD1205-FT |
BAS12507WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS28WE6327BTSA1
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BAS28WH6327XTSA1
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BAS4007WE6327BTSA1
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BAT6307WH6327XTSA1
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RB481KFSTL
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RB481KTL
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DA6X106U0R
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XC3S1000-4FTG256I
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5SGXEA7K2F35I2LN
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Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
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EP2AGX125EF35C5
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EP4SGX360FF35I3
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5SGSMD3H1F35C1N
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