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Référence fabricant | MLP2520V1R0MT |
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Numéro de pièce future | FT-MLP2520V1R0MT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLP |
MLP2520V1R0MT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.3A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2520V1R0MT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLP2520V1R0MT-FT |
MLZ2012M100WT000
TDK Corporation
MLZ2012P220WT000
TDK Corporation
MLZ2012M1R0HT000
TDK Corporation
MLZ2012M4R7WT000
TDK Corporation
MLZ2012N101LT000
TDK Corporation
MLZ2012M4R7HT000
TDK Corporation
MLZ2012M100HT000
TDK Corporation
MLZ2012M2R2HT000
TDK Corporation
MLZ2012N3R3LT000
TDK Corporation
MLZ2012M3R3HT000
TDK Corporation
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
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A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel