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Référence fabricant | MLP2012V2R2MT |
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Numéro de pièce future | FT-MLP2012V2R2MT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLP |
MLP2012V2R2MT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 700mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 360 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2012V2R2MT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLP2012V2R2MT-FT |
MLP2520H3R3MT0S1
TDK Corporation
MLP2520K1R0ST0S1
TDK Corporation
MLP2520S1R0MT0S1
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MLP2520V1R0ST0S1
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MLP2520V1R5MT0S1
TDK Corporation
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
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A3PN250-ZVQG100I
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5SGXEB5R3F43C2N
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5SGXMB6R2F43I3LN
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EP4SE530H40C3N
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LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
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EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
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