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Référence fabricant | MLP2012S2R2TT0S1 |
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Numéro de pièce future | FT-MLP2012S2R2TT0S1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLP |
MLP2012S2R2TT0S1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 600mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 429 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.022" (0.55mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2012S2R2TT0S1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLP2012S2R2TT0S1-FT |
MLP2520S2R2MT0S1
TDK Corporation
MLP2520S2R2ST0S1
TDK Corporation
MLP2520S3R3MT0S1
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MLP2520V1R0MT0S1
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MLP2520H1R0MT
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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Xilinx Inc.
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel