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Référence fabricant | MLP2012H2R2MT0S1 |
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Numéro de pièce future | FT-MLP2012H2R2MT0S1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLP |
MLP2012H2R2MT0S1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2012H2R2MT0S1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLP2012H2R2MT0S1-FT |
MLZ2012N1R0LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N1R5LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N2R2LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N3R3LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N4R7LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N6R8LT000
TDK Corporation
MLZ2012P220WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A1R0M
TDK Corporation
MLZ2012A2R2MT000
TDK Corporation
MLZ2012DR10MT000
TDK Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel