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Référence fabricant | MLG1005S56NHTD25 |
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Numéro de pièce future | FT-MLG1005S56NHTD25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLG |
MLG1005S56NHTD25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 56nH |
Tolérance | ±3% |
Note actuelle | 200mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.3 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 1GHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.022" (0.55mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLG1005S56NHTD25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLG1005S56NHTD25-FT |
MLG1005S1N0BTD25
TDK Corporation
MLG1005S1N1BT000
TDK Corporation
MLG1005S1N1BTD25
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MLG1005S1N1CT000
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LCMXO2-4000HE-5TG144I
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AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
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XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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