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Référence fabricant | MLF2012DR82KT |
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Numéro de pièce future | FT-MLF2012DR82KT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLF |
MLF2012DR82KT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 820nH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 150mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 130MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLF2012DR82KT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLF2012DR82KT-FT |
MLG0402P4N3HT000
TDK Corporation
MLG0402P4N3ST000
TDK Corporation
MLG0402P4N7HT000
TDK Corporation
MLG0402P4N7ST000
TDK Corporation
MLG0402P5N1HT000
TDK Corporation
MLG0402P5N1ST000
TDK Corporation
MLG0402P5N6HT000
TDK Corporation
MLG0402P5N6ST000
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MLG0402P6N2HT000
TDK Corporation
MLG0402P6N2ST000
TDK Corporation
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
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5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel