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Référence fabricant | MLD2016S2R2MTD25 |
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Numéro de pièce future | FT-MLD2016S2R2MTD25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLD |
MLD2016S2R2MTD25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 900mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 221 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLD2016S2R2MTD25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLD2016S2R2MTD25-FT |
MLG0402Q1N3ST000
TDK Corporation
MLG0402Q1N4BT000
TDK Corporation
MLG0402Q1N4CT000
TDK Corporation
MLG0402Q1N4ST000
TDK Corporation
MLG0402Q1N5BT000
TDK Corporation
MLG0402Q1N5CT000
TDK Corporation
MLG0402Q1N6BT000
TDK Corporation
MLG0402Q1N6CT000
TDK Corporation
MLG0402Q1N6ST000
TDK Corporation
MLG0402Q1N7BT000
TDK Corporation
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
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ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation